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Infineon Technologies
Em estoque: 275
Preço unitário : $ 1,58000
Ficha técnica

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Em estoque: 2.343
Preço unitário : $ 2,84000
Ficha técnica
Canal N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-11
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IPD80R2K8CEBTMA1

Número de produto da DigiKey
IPD80R2K8CEBTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPD80R2K8CEBTMA1
Descrição
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-11
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
3,9V a 120µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
12 nC @ 10 V
Séries
Vgs (máx.)
±20V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
290 pF @ 100 V
Part Status
Descontinuado na DigiKey
Dissipação de potência (máx.)
42W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss)
800 V
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO252-3-11
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,8Ohm a 1,1A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (2)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
IPD80R2K8CEATMA1Infineon Technologies275IPD80R2K8CEATMA1CT-ND$ 1,58000Direct
FCD3400N80Zonsemi2.343FCD3400N80ZCT-ND$ 2,84000Similar
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