Canal N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD80R2K8CEATMA1

Número de produto da DigiKey
IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPD80R2K8CEATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IPD80R2K8CEATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Não para novos designs
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,8Ohm a 1,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,9V a 120µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
290 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO252-3
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,63000$ 1,63
10$ 1,02800$ 10,28
100$ 0,68340$ 68,34
500$ 0,53554$ 267,77
1.000$ 0,48794$ 487,94
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2.500$ 0,38485$ 962,13
5.000$ 0,35678$ 1.783,90
7.500$ 0,34613$ 2.595,97
Embalagem padrão do fabricante