


IPD80R2K8CEATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPD80R2K8CEATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPD80R2K8CEATMA1 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 3,9V a 120µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 290 pF @ 100 V |
Part Status Não para novos designs | Dissipação de potência (máx.) 42W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,8Ohm a 1,1A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics | 3.119 | 497-4102-1-ND | $ 1,99000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,58000 | $ 1,58 |
| 10 | $ 1,00000 | $ 10,00 |
| 100 | $ 0,66470 | $ 66,47 |
| 500 | $ 0,52092 | $ 260,46 |
| 1.000 | $ 0,47464 | $ 474,64 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2.500 | $ 0,42453 | $ 1.061,33 |
| 5.000 | $ 0,39356 | $ 1.967,80 |
| 7.500 | $ 0,37779 | $ 2.833,43 |
| 12.500 | $ 0,36007 | $ 4.500,88 |
| 17.500 | $ 0,34958 | $ 6.117,65 |
| 25.000 | $ 0,34612 | $ 8.653,00 |








