IPB530N15N3GATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPB530N15N3GATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.

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IPB530N15N3GATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB530N15N3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB530N15N3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB530N15N3GATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 35µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR)	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 887 pF @ 75 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 21A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V	Número base de produto IPB530
Rds on (máx.) para Id, Vgs 53mOhm a 18A, 10V