Name: IPA60R190E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA60R190E6XKSA1-ND
Price: 1.3249 USD
Availability: OutOfStock

IPA60R190E6XKSA1
Número de produto da DigiKey	IPA60R190E6XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPA60R190E6XKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 20,2A (Tc) 34W (Tc) Furo passante PG-TO220-FP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPA60R190E6XKSA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	190mOhm a 9,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 630µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1400 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	34W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-FP
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	IPA60R

IPA60R190E6XKSA1