Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 34.09 USD
Availability: InStock

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IMBG65R007M2HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMBG65R007M2HXTMA1
Descrição	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMBG65R007M2HXTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 2,97mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 179 nC @ 18 V
Séries CoolSiC™ Gen 2	Vgs (máx.) +23V, -7V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6359 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 789W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7-12
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 238A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V	Número base de produto IMBG65R007
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8,5mOhm a 146,3A, 18V