Name: IAUZ40N08S5N100ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND
Price: 1.71 USD
Availability: InStock

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IAUZ40N08S5N100ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUZ40N08S5N100ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 40A (Tc) 68W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUZ40N08S5N100ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,8V a 27µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1591 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	68W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8