Name: GT100P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100P06D5TR-ND
Price: 1.78 USD
Availability: InStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

GT100P06D5
Número de produto da DigiKey	3141-GT100P06D5TR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-GT100P06D5CT-ND - Fita cortada (CT) 3141-GT100P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	GT100P06D5
Descrição	MOSFET P-CH 60V 60A 104W DFN5*6-
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 60A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Goford Semiconductor
Séries	SGT
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3700 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DFN (5x6)
Pacote / Invólucro	8-PowerSMD, condutores planos