Name: GC11N65D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC11N65D5TR-ND
Price: 2.47 USD
Availability: InStock

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GC11N65D5
Número de produto da DigiKey	3141-GC11N65D5TR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-GC11N65D5CT-ND - Fita cortada (CT) 3141-GC11N65D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	GC11N65D5
Descrição	N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (4,9x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Goford Semiconductor
Séries	SuperJunction
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	360mOhm a 5,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	901 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	78W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DFN (4,9x5,75)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8