Name: RFD8P06LE
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-RFD8P06LE-ND
Price: 0.48 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RFD8P06LE
Número de produto da DigiKey	2156-RFD8P06LE-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de produto do fabricante	RFD8P06LE
Descrição	P-CHANNEL POWER MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 8A (Tc) 48W (Tc) Furo passante IPAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	300mOhm a 8A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	675 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	48W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	IPAK
Pacote / Invólucro	TO-251-3 condutores curtos, IPAK, TO-251AA