Name: DMT10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H017LPD-13TR-ND
Price: 2.26 USD
Availability: InStock

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DMT10H017LPD-13
Número de produto da DigiKey	31-DMT10H017LPD-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMT10H017LPD-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMT10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMT10H017LPD-13
Descrição	MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 54,7A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) Montagem em superfície PowerDI5060-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	54,7A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	17,4mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28,6nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1986pF a 50V
Potência - Máx.	2,2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerDI5060-8
Número base de produto	DMT10