Name: DMP56D0UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7BDITR-ND
Price: 0.51 USD
Availability: InStock

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DMP56D0UFB-7B
Número de produto da DigiKey	DMP56D0UFB-7BDITR-ND - Fita e carretel (TR) DMP56D0UFB-7BDICT-ND - Fita cortada (CT) DMP56D0UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMP56D0UFB-7B
Descrição	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Montagem em superfície X1-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	50 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6Ohm a 100mA, 4V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.58 nC @ 4 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	50.54 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	425mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X1-DFN1006-3
Pacote / Invólucro	3-UFDFN
Número base de produto	DMP56