Name: DMN2991UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2991UFB4-7B-ND
Price: 0.26 USD
Availability: InStock

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DMN2991UFB4-7B
Número de produto da DigiKey	31-DMN2991UFB4-7B-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN2991UFB4-7B
Descrição	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Montagem em superfície X2-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	500mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	990mOhm a 100mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.28 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	14.6 pF @ 16 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	360mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X2-DFN1006-3
Pacote / Invólucro	3-XFDFN
Número base de produto	DMN2991

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