Name: DMN10H220LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN10H220LFDF-13TR-ND
Price: 0.0871 USD
Availability: OutOfStock

DMN10H220LFDF-13 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.

Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico

Diodes Incorporated

Em estoque: 0

Preço unitário : $ 0,49000

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DMN10H220LFDF-13
Número de produto da DigiKey	31-DMN10H220LFDF-13TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN10H220LFDF-13
Descrição	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 2,2A (Ta) 1,1W (Ta) Montagem em superfície U-DFN2020-6 (tipo F)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	225mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	384 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	U-DFN2020-6 (tipo F)
Pacote / Invólucro	6-UDFN pad exposto
Número base de produto	DMN10