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Canal N 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AOB410L

Número de produto da DigiKey
785-AOB410L-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
AOB410L
Descrição
MOSFET N-CH 100V TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
6,5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
7950 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
1,9W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
800$ 1,61958$ 1.295,66
Embalagem padrão do fabricante