Name: IXTA180N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTA180N10T-ND
Price: 7.26 USD
Availability: OutOfStock

IXTA180N10T
Número de produto da DigiKey	IXTA180N10T-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTA180N10T
Descrição	MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Montagem em superfície TO-263AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	Trench
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,4mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	151 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6900 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	480W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263AA
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IXTA180

IXTA180N10T