MOSFET de potência série E SiHR080N60E

Os MOSFETs da Vishay permitem dimensionamentos de alta potência e densidade, além de diminuir as perdas para aumentar a eficiência

Imagem do MOSFET de potência série E SiHR080N60E da VishayPara fornecer maior eficiência e densidade de potência para aplicações de telecomunicações, industriais e computação, a Vishay oferece o MOSFET de potência série E de 600 V da quarta geração num invólucro PowerPAK® 8 x 8LR com resfriamento na parte superior. Em comparação com os dispositivos da geração anterior, O SiHR080N60E de canal N reduz a resistência de condução em até 27% e em até 60% a resistência vezes a carga na porta, uma figura de mérito (FOM) para MOSFETs de 600 V utilizados nas aplicações de conversão de energia, além de fornecer corrente maior numa pegada menor em relação aos dispositivos com invólucro D2PAK. O invólucro PowerPAK 8 x 8LR com resfriamento na parte superior do SiHR080N60E de 10,42 mm por 8 mm por 1,65 mm apresenta uma pegada 50,8% menor em relação ao D2PAK, além de oferecer uma altura 66% menor.

Devido ao resfriamento na parte superior, o invólucro proporciona excelente capacidade térmica com uma resistência térmica baixíssima entre junção e invólucro de +0,25°C/W. Isto permite uma corrente 46% maior em relação ao D2PAK no mesmo nível de resistência de condução, possibilitando uma densidade de potência muitíssimo mais alta. Além disso, a baixa FOM, resistência de condução vezes a carga na porta, do SiHR080N60E de 3,1 Ω*nC se traduz em menores perdas de condução e chaveamento para poupar energia e aumentar a eficiência em sistemas de potência maiores do que 2 kW.

As capacitâncias efetivas de saída tipicamente baixas do MOSFET, Co(er) e Co(tr) de 79 pF e 499 pF, respectivamente, melhoram o desempenho do chaveamento nas topologias com comutação dura, como nos projetos de correção do fator de potência (PFC), meia ponte e conversor forward de duas chaves. A Vishay oferece uma vasta linha de tecnologias de MOSFET que aceitam todos os estágios do processo de conversão de energia, desde as entradas de alta tensão até as saídas de baixa tensão necessárias para equipamentos de potência de alta tecnologia. Com o SiHR080N60E e outros dispositivos da família de quarta geração série E de 600 V, a empresa está lidando com a demanda por melhorias da eficiência e da densidade de potência nos dois primeiros estágios da arquitetura dos sistemas de energia: os blocos PFC e conversor CC/CC subsequente.

Características
  • O invólucro compacto PowerPAK 8 x 8LR com resfriamento na parte superior permite baixa resistência térmica para densidade de potência e corrente mais altas
  • Os terminais do tipo asa de gaivota proporcionam excelente capacidade do ciclo de temperatura
  • Resistência de condução tipicamente baixa de 0,074 Ω a 10 V
  • Baixíssima carga na porta até 42 nC
  • A baixa figura de mérito (FOM), resistência de condução vezes a carga na porta, de 3,1 Ω*nC se traduz em menores perdas de condução e chaveamento para poupar energia e aumentar a eficiência em sistemas de potência maiores do que 2 kW
  • As capacitâncias efetivas de saída tipicamente baixas, Co(er) e Co(tr) de 79 pF e 499 pF, respectivamente, melhoram o desempenho do chaveamento nas topologias com comutação dura, como nos projetos de PFC, meia ponte e conversor forward de duas chaves
  • Projetado para suportar a transientes de sobretensão em modo avalanche com limites garantidos através do teste 100% UIS
  • Conformidade com RoHS e livre de halogênio
Aplicações
  • Blocos PFC e conversor CC/CC subsequente em servidores, computação de borda, supercomputadores e armazenamento de dados
  • UPS
  • Lâmpadas de descarga de alta intensidade (HID) e iluminação fluorescente com reatores
  • SMPS para telecomunicações
  • Inversores solares
  • Equipamentos de solda
  • Aquecimento por indução
  • Acionamentos de motor
  • Carregadores de bateria

SiHR080N60E E Series Power MOSFET

ImagemNúmero de peça do fabricanteDescriçãoTipo de FETTecnologiaTensão dreno-fonte (Vdss)Available QuantityPreçoVer detalhes
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8SIHR080N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8Canal NMOSFET (óxido metálico)600 V1990 - Immediate$7.57Ver detalhes
Published: 2024-04-19