Name: SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.57 USD
Availability: InStock

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SIHR080N60E-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIHR080N60E-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIHR080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHR080N60E-T1-GE3
Descrição	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 51A (Tc) 500W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIHR080N60E-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	E
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	51A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	84mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2557 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK® 8 x 8
Pacote / Invólucro	8-PowerSMD, asa de gaivota