Diodos Schottky de SiC ger. 3 de 1.200 V

Os 16 diodos Schottky de 1.200 V ger. 3 em carbeto de silício (SiC) da Vishay apresentam um design mesclado PIN-Schottky (MPS). Eles também combinam a robustez da alta corrente de surto com a baixa queda de tensão direta, carga capacitiva e corrente de fuga reversa para aumentar a eficiência e a confiabilidade nos projetos de chaveamento de potência. A estrutura MPS dos diodos, que apresenta uma tecnologia de recozimento a laser tornando a parte de trás mais fina, reduz a queda de tensão direta. A baixa corrente reversa de fuga típica dos dispositivos reduz as perdas de condução, garantindo alta eficiência do sistema durante as cargas leves e a inatividade. Para melhorar mais a eficiência, os diodos da ger. 3 praticamente não possuem resíduo de recuperação, ao contrário dos diodos ultrarrápidos.

Estes diodos oferecem correção do fator de potência CA/CC e retificação de saída CC/CC em ultra-alta frequência em conversores FBPS e LLC para aplicações como inversor de energia solar, sistemas de armazenamento de energia, ferramentas e acionamentos industriais, além de datacenters.