Name: VS-3C05ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C05ET12S2L-M3TR-ND
Price: 3.94 USD
Availability: InStock

Diodo 1200 V 5A Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

VS-3C05ET12S2L-M3
Número de produto da DigiKey	112-VS-3C05ET12S2L-M3TR-ND - Fita e carretel (TR) 112-VS-3C05ET12S2L-M3CT-ND - Fita cortada (CT) 112-VS-3C05ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de produto do fabricante	VS-3C05ET12S2L-M3
Descrição	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 1200 V 5A Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	1200 V
Corrente - Média retificada (Io)	5A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.5 V @ 5 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	30 µA @ 1200 V
Capacitância para Vr, F	20pF a 800V, 1MHz
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263AB (D2PAK)
Temperatura de operação - Junção	-55°C a 175°C