FET simples, MOSFETs

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	N.º de peça do fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Preço	Séries	Embalagem	Situação do produto	Tipo de FET	Tecnologia	Tensão dreno-fonte (Vdss)	Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	Rds on (máx.) para Id, Vgs	Vgs(th) (máx.) para Id	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	Característica FET	Dissipação de potência (máx.)	Temperatura de operação	Grau	Qualificação	Tipo de montagem	Invólucro do dispositivo fornecido	Pacote / Invólucro
	IPB048N15N5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Infineon Technologies	1.503 Em estoque	1 : $ 5,41000 Fita cortada (CT) 1.000 : $ 2,03325 Fita e carretel (TR)	OptiMOS™	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Ativo	Canal N	MOSFET (óxido metálico)	150 V	120A (Tc)	8V, 10V	4,8mOhm a 60A, 10V	4,6V a 264µA	100 nC @ 10 V	±20V	7800 pF @ 75 V	-	300W (Tc)	-55°C a 175°C (TJ)	-	-	Montagem em superfície	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
	IPB048N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Infineon Technologies	0 Em estoque Verifique o tempo de espera	1 : $ 6,91000 Fita cortada (CT) 1.000 : $ 2,82188 Fita e carretel (TR)	OptiMOS™ 5	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Ativo	Canal N	MOSFET (óxido metálico)	150 V	120A (Tc)	10V	4,8mOhm a 100A, 10V	4,9V a 255µA	84 nC @ 10 V	±20V	380 pF @ 75 V	-	313W (Tc)	-55°C a 150°C (TJ)	-	-	Montagem em superfície	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB

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FET simples, MOSFETs

Transistores de efeito de campo simples (FETs) e transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) são tipos de transistores usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.

Um FET simples opera controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais da fonte e do dreno, por meio de um campo elétrico gerado por uma tensão aplicada ao terminal de porta. A principal vantagem dos FETs é sua alta impedância de entrada, o que os torna ideais para uso em amplificação de sinais e circuitos analógicos. Eles são amplamente utilizados em aplicações como amplificadores, osciladores e estágios de buffer em circuitos eletrônicos.

Os MOSFETs, um subtipo de FETs, têm um terminal de porta isolado do canal por uma fina camada de óxido, o que melhora seu desempenho e os torna altamente eficientes. Os MOSFETs podem ser categorizados em dois tipos:

MOSFETs de canal n: onde os elétrons são os portadores primários.
MOSFETs de canal p: onde as lacunas são as portadoras primárias.

Os MOSFETs são preferidos em muitas aplicações devido ao seu baixo consumo de energia, chaveamento de alta velocidade e capacidade de lidar com grandes correntes e tensões. Eles são cruciais em circuitos digitais e analógicos, incluindo fontes de alimentação, acionadores de motor e aplicações de radiofrequência.

A operação dos MOSFETs pode ser dividida em dois modos:

Modo de enriquecimento: neste modo, o MOSFET normalmente está desligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Para ligar é necessária uma tensão de porta-fonte positiva (para canal n) ou uma tensão de porta-fonte negativa (para canal p).
Modo de depleção: neste modo, o MOSFET normalmente está ligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Aplicar uma tensão de porta-fonte de polaridade oposta pode desligá-lo.

Os MOSFETs oferecem diversas vantagens, como:

Alta eficiência: eles consomem muito pouca energia e podem alternar estados rapidamente, o que os torna altamente eficientes para aplicações de gerenciamento de energia.
Baixa resistência de condução: eles têm baixa resistência quando ligados, o que minimiza a perda de potência e a geração de calor.
Alta impedância de entrada: a estrutura de porta isolada resulta em impedância de entrada extremamente alta, tornando-os ideais para amplificação de sinais de alta impedância.

Em resumo, FETs simples, particularmente MOSFETs, são componentes fundamentais na eletrônica moderna, conhecidos por sua eficiência, velocidade e versatilidade em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal de baixa potência até chaveamento e controle de alta potência.