Canal N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montagem em superfície PMPAK® 5 x 6
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Canal N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montagem em superfície PMPAK® 5 x 6
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP8NA2R2CXT

Número de produto da DigiKey
5048-XP8NA2R2CXTTR-ND - Fita e carretel (TR)
5048-XP8NA2R2CXTCT-ND - Fita cortada (CT)
5048-XP8NA2R2CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante
XP8NA2R2CXT
Descrição
MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montagem em superfície PMPAK® 5 x 6
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Descrição
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Categoria
Fabricante
YAGEO XSEMI
Séries
XP8NA2R2C
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
35A (Ta), 168A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,2mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
179 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
9328 pF @ 60 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
5W (Ta), 113,6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PMPAK® 5 x 6
Pacote / Invólucro
PowerLDFN-8
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Quantidade
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 2,56000$ 2,56
10$ 1,64800$ 16,48
100$ 1,12820$ 112,82
500$ 0,90602$ 453,01
1.000$ 0,90135$ 901,35
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,74395$ 2.231,85
6.000$ 0,73640$ 4.418,40
Embalagem padrão do fabricante