Canal P 40 V 60A (Tc) 69W (Tc) Montagem em superfície TO-252
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal P 40 V 60A (Tc) 69W (Tc) Montagem em superfície TO-252
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP6677GH

Número de produto da DigiKey
5048-XP6677GHTR-ND - Fita e carretel (TR)
5048-XP6677GHCT-ND - Fita cortada (CT)
5048-XP6677GHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
XP6677GH
Descrição
MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 40 V 60A (Tc) 69W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Rds on (máx.) para Id, Vgs
12,3mOhm a 30A, 10V
Fabricante
Vgs(th) (máx.) para Id
3V a 250µA
Séries
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
70 nC @ 4.5 V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Vgs (máx.)
±20V
Part Status
Obsoleto
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
5050 pF @ 25 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
69W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
40 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Pacote / Invólucro
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Obsoleto
Este produto não é mais fabricado.