Name: XP4P090N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP4P090NTR-ND
Price: 0.73 USD
Availability: InStock

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XP4P090N
Número de produto da DigiKey	5048-XP4P090NTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP4P090NCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP4P090NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP4P090N
Descrição	MOSFET P-CH 40V 3A SOT23
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 3A (Ta) 1,25W (Ta) Montagem em superfície SOT-23
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP4P090
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	90mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	976 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,25W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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