Name: XP3P7R0EM
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P7R0EMTR-ND
Price: 1.2 USD
Availability: InStock

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XP3P7R0EM
Número de produto da DigiKey	5048-XP3P7R0EMTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP3P7R0EMCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP3P7R0EMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP3P7R0EM
Descrição	MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 15,5A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP3P7R0E
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	52.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6880 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)