Name: XP3NA2R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA2R4MTTR-ND
Price: 1.07 USD
Availability: InStock

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XP3NA2R4MT
Número de produto da DigiKey	5048-XP3NA2R4MTTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP3NA2R4MTCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP3NA2R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP3NA2R4MT
Descrição	FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 36,5A (Ta), 118A (Tc) 5W (Ta), 52W (Tc) Montagem em superfície 8-PMPAK (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,4mOhm a 20A, 10V
Fabricante YAGEO XSEMI	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Séries XP3NA2R4	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 65.6 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5600 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 52W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 36,5A (Ta), 118A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-PMPAK (5x6)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerLDFN-8

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Fita e carretel (TR)

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Embalagem padrão do fabricante

XP3NA2R4MT