Name: XP3N9R5AYT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AYTTR-ND
Price: 0.53 USD
Availability: InStock

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XP3N9R5AYT
Número de produto da DigiKey	5048-XP3N9R5AYTTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP3N9R5AYTCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP3N9R5AYTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP3N9R5AYT
Descrição	MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 15A (Ta), 38,7A (Tc) 3,57W (Ta) Montagem em superfície PMPAK® 3 x 3
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,5mOhm a 9,5A, 10V
Fabricante YAGEO XSEMI	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Séries XP3N9R5A	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 28.8 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1280 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,57W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15A (Ta), 38,7A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PMPAK® 3 x 3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8

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XP3N9R5AYT