Name: XP3N9R5AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AMTTR-ND
Price: 0.79 USD
Availability: InStock

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XP3N9R5AMT
Número de produto da DigiKey	5048-XP3N9R5AMTTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP3N9R5AMTCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP3N9R5AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP3N9R5AMT
Descrição	MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 18A (Ta), 38,7A (Tc) 5W (Ta), 22,7W (Tc) Montagem em superfície PMPAK® 5 x 6
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP3N9R5A
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Ta), 38,7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9,5mOhm a 9,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1280 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	5W (Ta), 22,7W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PMPAK® 5 x 6
Pacote / Invólucro	PowerLDFN-8