XP2530AGY YAGEO XSEMI | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XP2530AGY
Número de produto da DigiKey	5048-XP2530AGYTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP2530AGYCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP2530AGYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP2530AGY
Descrição	MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) Montagem em superfície SOT-26
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	Canal N e P
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	72mOhm a 3A, 10V, 150mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4,5nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	320pF a 15V, 260pF a 15V
Potência - Máx.	1,136W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	SOT-23-6
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-26