Name: XP10TN135H
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN135HTR-ND
Price: 0.65 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XP10TN135H
Número de produto da DigiKey	5048-XP10TN135HTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP10TN135HCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP10TN135HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP10TN135H
Descrição	MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 8,1A (Tc) 2W (Ta), 20,8W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 135mOhm a 5A, 10V
Fabricante YAGEO XSEMI	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Séries XP10TN135	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 17.6 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 928 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 20,8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8,1A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 1.000

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em USD

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)

Embalagem padrão do fabricante

XP10TN135H