Canal N 1200 V 64A (Tc) 272W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
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C3M0040120J1

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1697-C3M0040120J1-ND
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C3M0040120J1
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1200V 40 M SIC MOSFET
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Canal N 1200 V 64A (Tc) 272W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
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Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
53,5mOhm a 33,3A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,6V a 9,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
94 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+15V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2900 pF @ 1000 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
272W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263-7
Pacote / Invólucro
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Em estoque: 181
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Tubo
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1$ 12,98000$ 12,98
50$ 7,34300$ 367,15
100$ 6,80090$ 680,09
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