SIHP23N60E-GE3
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SUP90100E-GE3

Número de produto da DigiKey
742-SUP90100E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SUP90100E-GE3
Descrição
N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Tempo de espera previsto do fabricante
33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
10,9mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3930 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220AB
Pacote / Invólucro
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 4,59000$ 4,59
10$ 3,03400$ 30,34
100$ 2,15050$ 215,05
500$ 1,77354$ 886,77
1.000$ 1,65250$ 1.652,50
2.000$ 1,63125$ 3.262,50
Embalagem padrão do fabricante