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SUP50020E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SUP50020E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SUP50020E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Furo passante TO-220AB |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,4mOhm a 30A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 128 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 375W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220AB |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP023N08B-F102 | onsemi | 148 | FDP023N08B-F102OS-ND | $ 4,89000 | Similar |
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 42 | TK100E06N1S1X-ND | $ 4,34000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 4,19000 | $ 4,19 |
| 50 | $ 2,12980 | $ 106,49 |
| 100 | $ 1,93020 | $ 193,02 |
| 500 | $ 1,58042 | $ 790,21 |
| 1.000 | $ 1,46807 | $ 1.468,07 |
| 2.000 | $ 1,37364 | $ 2.747,28 |
| 5.000 | $ 1,31625 | $ 6.581,25 |



