Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 2.36 USD
Availability: InStock

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SUD50N04-8M8P-4GE3
Número de produto da DigiKey	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SUD50N04-8M8P-4GE3
Descrição	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 56 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2400 pF @ 20 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 14A (Ta), 50A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SUD50
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8,8mOhm a 20A, 10V