SUD35N10-26P-T4GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico


Vishay Siliconix
Em estoque: 9
Preço unitário : $ 2,91000
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Equivalente paramétrico


Vishay Siliconix
Em estoque: 1.027
Preço unitário : $ 3,11000
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Canal N 100 V 35A (Tc) 8,3W (Ta), 83W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SUD35N10-26P-T4GE3

Número de produto da DigiKey
SUD35N10-26P-T4GE3-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Número de produto do fabricante
SUD35N10-26P-T4GE3
Descrição
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 35A (Tc) 8,3W (Ta), 83W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
47 nC @ 10 V
Séries
Vgs (máx.)
±20V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2000 pF @ 12 V
Part Status
Obsoleto
Dissipação de potência (máx.)
8,3W (Ta), 83W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
26mOhm a 12A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (4)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
SUD35N10-26P-E3Vishay Siliconix9SUD35N10-26P-E3CT-ND$ 2,91000Equivalente paramétrico
SUD35N10-26P-GE3Vishay Siliconix1.027SUD35N10-26P-GE3CT-ND$ 3,11000Equivalente paramétrico
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Este produto não é mais fabricado. Ver Substitutos.