Name: SUD19N20-90-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD19N20-90-E3TR-ND
Price: 4 USD
Availability: InStock

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SUD19N20-90-E3
Número de produto da DigiKey	SUD19N20-90-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SUD19N20-90-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SUD19N20-90-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SUD19N20-90-E3
Descrição	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SUD19N20-90-E3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 51 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1800 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 136W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 19A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto SUD19
Rds on (máx.) para Id, Vgs 90mOhm a 5A, 10V