Name: SQS484ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS484ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.96 USD
Availability: InStock

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SQS484ENW-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQS484ENW-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQS484ENW-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQS484ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQS484ENW-T1_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Tempo de espera previsto do fabricante	39 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 16A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQS484ENW-T1_GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 35 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1800 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 62,5W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 16A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® 1212-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerPAK® 1212-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8mOhm a 10A, 10V	Número base de produto SQS484
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA