Name: SQM120N04-1M7L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N04-1M7L_GE3TR-ND
Price: 4.71 USD
Availability: InStock

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SQM120N04-1M7L_GE3
Número de produto da DigiKey	SQM120N04-1M7L_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQM120N04-1M7L_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-263
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 285 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 14606 pF @ 20 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)	Dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 120A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 30A, 10V	Número base de produto SQM120
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA