SQM120N03-1M5L_GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

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SQM120N03-1M5L_GE3
Número de produto da DigiKey	SQM120N03-1M5L_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQM120N03-1M5L_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQM120N03-1M5L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQM120N03-1M5L_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-263
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Category Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 270 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 15605 pF @ 15 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 120A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,5mOhm a 30A, 10V	Número base de produto SQM120
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA

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Recursos adicionais

Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SQJ128ELP-T1_GE3	Vishay Siliconix	8.958	742-SQJ128ELP-T1_GE3CT-ND	$ 2,52000	Recomendado pelo fabricante
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Obsoleto

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SQM120N03-1M5L_GE3