Name: SQJQ480E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ480E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.3 USD
Availability: InStock

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SQJQ480E-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQJQ480E-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQJQ480E-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQJQ480E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJQ480E-T1_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Tempo de espera previsto do fabricante	39 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 150A (Tc) 136W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQJQ480E-T1_GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 144 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 8625 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 150A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® 8 x 8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro PowerPAK® 8 x 8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3mOhm a 20A, 10V	Número base de produto SQJQ480
Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 250µA