Cascata MOSFET 60V 23,5A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
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SQJ968EP-T1_GE3

Número de produto da DigiKey
SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SQJ968EP-T1_GE3
Descrição
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante
23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 60V 23,5A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SQJ968EP-T1_GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Part Status
Ativo
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (duplo)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
23,5A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
33,6mOhm a 4,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
18,5nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
714pF a 30V
Potência - Máx.
42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TA)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
SO-8 Dual PowerPAK®
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8 Dual PowerPAK®
Número base de produto
SQJ968
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT)
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,74000$ 1,74
10$ 1,10500$ 11,05
100$ 0,73860$ 73,86
500$ 0,58126$ 290,63
1.000$ 0,53063$ 530,63
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,46636$ 1.399,08
6.000$ 0,43401$ 2.604,06
9.000$ 0,41754$ 3.757,86
15.000$ 0,39903$ 5.985,45
21.000$ 0,39600$ 8.316,00
Embalagem padrão do fabricante