Cascata MOSFET 30V 30A (Tc) 27W (Tc) Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
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SQJ914EP-T1_GE3

Número de produto da DigiKey
SQJ914EP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SQJ914EP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SQJ914EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SQJ914EP-T1_GE3
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante
23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 30V 30A (Tc) 27W (Tc) Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SQJ914EP-T1_GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (duplo)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
30A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
12mOhm a 4,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
25nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1110pF a 15V
Potência - Máx.
27W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
SO-8 Dual PowerPAK®
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8 Dual PowerPAK®
Número base de produto
SQJ914
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Em estoque: 9.443
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,98000$ 1,98
10$ 1,25800$ 12,58
100$ 0,84610$ 84,61
500$ 0,66960$ 334,80
1.000$ 0,61282$ 612,82
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,54073$ 1.622,19
6.000$ 0,50446$ 3.026,76
9.000$ 0,48598$ 4.373,82
15.000$ 0,47075$ 7.061,25
Embalagem padrão do fabricante