Name: SQJ170ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ170ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.61 USD
Availability: InStock

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SQJ170ELP-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	742-SQJ170ELP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQJ170ELP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQJ170ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJ170ELP-T1_GE3
Descrição	N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 63A (Tc) 136W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQJ170ELP-T1_GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	63A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16,3mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1165 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	136W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®