Name: SQD90P04-9M4L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND
Price: 3.71 USD
Availability: InStock

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SQD90P04-9M4L_GE3
Número de produto da DigiKey	SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQD90P04-9M4L_GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQD90P04-9M4L_GE3
Descrição	MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 90A (Tc) 136W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQD90P04-9M4L_GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 155 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6675 pF @ 20 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)	Dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal P	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 90A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,4mOhm a 17A, 10V	Número base de produto SQD90
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA