Name: SQD25N15-52_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD25N15-52_GE3TR-ND
Price: 5.14 USD
Availability: InStock

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SQD25N15-52_GE3
Número de produto da DigiKey	SQD25N15-52_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQD25N15-52_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQD25N15-52_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQD25N15-52_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQD25N15-52_GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 51 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2200 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 107W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 25A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 52mOhm a 15A, 10V	Número base de produto SQD25
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA