SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

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SQ2389ES-T1_BE3

Vishay Siliconix

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SQ2389CES-T1_GE3

Vishay Siliconix

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Canal P 40 V 4,1A (Tc) 3W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)

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SQ2389ES-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQ2389ES-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQ2389ES-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQ2389ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ2389ES-T1_GE3
Descrição	MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 4,1A (Tc) 3W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 420 pF @ 20 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 3W (Tc)
Part Status Descontinuado na DigiKey	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal P	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4,1A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 94mOhm a 10A, 10V	Número base de produto SQ2389
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SQ2389ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	92.476	742-SQ2389ES-T1_BE3CT-ND	$ 1,13000	Direct
SQ2389CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2389CES-T1_GE3CT-ND	$ 0,73000	Recomendado pelo fabricante

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