Name: SIZF360DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.15 USD
Availability: OutOfStock

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SIZF360DT-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIZF360DT-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIZF360DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIZF360DT-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 30V 23A 6POWERPAIR
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc), 4,3W (Ta), 78W (Tc) Montagem em superfície PowerPair™ 6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIZF360DT-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo), Schottky
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,5mOhm a 10A, 10V, 1,9mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22nC a 10V, 62nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1100pF a 15V, 3150pF a 15V
Potência - Máx.	3,8W (Ta), 52W (Tc), 4,3W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerPair™ 6
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPair™ 6
Número base de produto	SIZF360