Name: SIZ918DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ918DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.45 USD
Availability: InStock

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SIZ918DT-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIZ918DT-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 16A, 28A 29W, 100W Montagem em superfície PowerPair® 8 (6x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIZ918DT-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	16A, 28A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12mOhm a 13,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	790pF a 15V
Potência - Máx.	29W, 100W
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPair® 8 (6x5)
Número base de produto	SIZ918