SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Matrizes de FET, MOSFET

SIZ322DT-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Vishay Siliconix

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Preço unitário : $ 2,01000

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SIZ322DT-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIZ322DT-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIZ322DT-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIZ322DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIZ322DT-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 25V 30A (Tc) 16,7W (Tc) Montagem em superfície Power33-8 (3x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIZ322DT-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 2,4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20,1nC a 10V
Séries TrenchFET® Gen IV	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 950pF a 12,5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 16,7W (Tc)
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Configuração 2 canais N (duplo)	Pacote / Invólucro PowerWDFN-8
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25V	Invólucro do dispositivo fornecido Power33-8 (3x3)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 30A (Tc)	Número base de produto SIZ322
Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,35mOhm a 15A, 10V