Canal P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
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SISS61DN-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SISS61DN-T1-GE3
Descrição
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
31 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SISS61DN-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET® Gen III
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
30,9A (Ta), 111,9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
3,5mOhm a 15A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id
900mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
231 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
8740 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
5W (Ta), 65,8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
1212-8S PowerPAK®
Pacote / Invólucro
1212-8S PowerPAK®
Número base de produto
SISS61
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Em estoque: 6.492
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,70000$ 1,70
10$ 1,07700$ 10,77
100$ 0,72140$ 72,14
500$ 0,56872$ 284,36
1.000$ 0,51962$ 519,62
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,45726$ 1.371,78
6.000$ 0,42589$ 2.555,34
9.000$ 0,41888$ 3.769,92
Embalagem padrão do fabricante
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