Name: SISH617DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH617DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.44 USD
Availability: InStock

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SISH617DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SISH617DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISH617DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISH617DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SISH617DN-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 13,9A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montagem em superfície 1212-8SH PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 59 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±25V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1800 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido 1212-8SH PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 13,9A (Ta), 35A (Tc)	Pacote / Invólucro 1212-8SH PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SISH617
Rds on (máx.) para Id, Vgs 12,3mOhm a 13,9A, 10V